近期有关任天堂 Switch 2 的技术细节逐渐浮出水面，其中引人注目的是可能采用三星第五代 V-NAND 存储技术。最新研究结果表明，这将是一项重大进步。据来自 YouTube 上的 Doctre81 分享的最新视频报道，在一位曾在三星电子任职至 2019 年的前高级总监的 LinkedIn 页面上，列出了他的职责和主要资历，包括领导开发一款用于未指定任天堂游戏卡带的 NAND 闪存控制器设备。
这位前三星员工在主要成就中还列出了由三星存储器第五代 V-NAND 闪存驱动的安全增强型 eMMC 卡的开发。这与用于未指定任天堂游戏卡带的 NAND 闪存控制器设备相吻合，同时还符合其他信息，例如创新的未指定专有硬件的安全性和设计新的 PUF IP（物理不可克隆功能）。
任天堂 Switch 2 需要更快的读取速度并不足为奇，但使用三星第五代 V-NAND 仍然是一个令人欣喜的消息。尽管与三星即将推出的第九代和第十代 V-NAND 相比，这被认为是过时的技术，但根据今天的标准，第五代产品的速度高达每秒 1.4 GB 仍然足够满足任天堂的游戏需求，至少比前一代产品有了显著提升。
关于 Nintendo Switch 2 的细节目前所知甚少，但已确认将再次采用 NVIDIA 硬件。据说，T239 芯片将支持英伟达的 DLSS 和光线重构等功能。
这些技术进步使得人们对任天堂 Switch 2 的性能有了更高的期望，尤其是在游戏体验方面。随着信息逐步披露，我们期待着更多关于这款游戏机的详细信息。
